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FGH75N60SFTU-HXY
650V 90A
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- 描述
- 该IGBT模块典型集电极电流为75A，集射极击穿电压达650V，具备较高的电流承载与耐压能力。导通状态下，集射极饱和电压为1.6V，有助于减少功率损耗。内部续流二极管可承受75A正向电流，正向压降为1.85V，表现出良好的导通性能。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，适用于多种电力电子系统中的开关与控制场景，能够满足对稳定性和效率有较高要求的应用需求。
- 商品型号
- FGH75N60SFTU-HXY
- 商品编号
- C49003476
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.736667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 输出电容(Coes) | 215pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.81nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.04mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 920uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 95ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 23pF |