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IXXX160N65B4-HXY
650V 240A
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- 描述
- 该IGBT模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有助于降低导通损耗，提高能效。内置续流二极管支持160A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，表现出良好的电流承载能力和较低的损耗特性。该模块适用于电源变换、能量管理及高效电子设备，可满足高频开关与稳定运行的设计需求。
- 商品型号
- IXXX160N65B4-HXY
- 商品编号
- C49003479
- 商品封装
- TO-247P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.856667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 240A | |
| 耗散功率(Pd) | 1kW | |
| 输出电容(Coes) | 480pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 560A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V@160A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.2V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 330nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 10.203nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 94ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 379ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.37mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 9.81mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 190ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 70pF |
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