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RGSX5TS65HRC11-HXY
650V 90A
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- 描述
- 本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和压降为1.6V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好热稳定性和快速恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制、储能装置及智能电力管理系统，满足对效率、可靠性和集成度有较高要求的电路设计应用需求。
- 商品型号
- RGSX5TS65HRC11-HXY
- 商品编号
- C49003473
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.773333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 输出电容(Coes) | 215pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.81nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.04mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 920uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 95ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 23pF |
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