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RGWS00TS65GC13-HXY
650V 80A
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- 描述
- 本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），可满足高功率密度场景的技术需求。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效减少导通损耗。内部续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效表现。该产品适用于多种功率转换设备，如电源系统、电机驱动装置及智能电网相关应用，提供稳定可靠的电气性能与长期运行可靠性。
- 商品型号
- RGWS00TS65GC13-HXY
- 商品编号
- C49003463
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.866667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.916nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns |
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