温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOKS40B65H1
650V 70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）同样支持40A，其正向压降（Vf）为1.8V，提升了整体能效表现。该器件适合用于电源变换、电机驱动及高频开关等电力电子系统设计中，提供稳定可靠的性能支持。
- 商品型号
- AOKS40B65H1
- 商品编号
- C49003451
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.966667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 110pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.52nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 136ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 430uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- IGW40N60TP-HXY
- IGW40N65F5-HXY
- IGW40N60H3-HXY
- APT68GA60B-HXY
- RGTH00TS65GC13-HXY
- IRGP4263-EPBF-HXY
- AIGW50N65H5-HXY
- IRGP4760-EPBF-HXY
- IGW50N65H5AXKSA1-HXY
- APT45GR65B-HXY
- RGTH00TS65GC11-HXY
- RGWS00TS65GC13-HXY
- RGS00TS65HRC11-HXY
- IGW50N65F5-HXY
- IGW50N60TP-HXY
- IGW50N60H3-HXY
- FGHL50T65SQ-HXY
- IGW75N65H5XKSA1-HXY
- IRGP4266-EPBF-HXY
- IRGP4790-EPBF-HXY
- APT70GR65B-HXY