温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NGTG35N65FL2WG-HXY
650V 70A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境，提供可靠的能量传输解决方案。
- 商品型号
- NGTG35N65FL2WG-HXY
- 商品编号
- C49003447
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 40uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.52nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 110pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 136ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 430uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款650V、40A的绝缘栅双极型晶体管，其集电极-发射极饱和电压具有正温度系数特性，便于并联使用。最大结温为175℃。
商品特性
- 650V，40A IGBT
- 由于VCE(SAT)具有正温度系数，易于并联
- 低电磁干扰
- 低栅极电荷
- 低饱和电压VCE(SAT)
- 最大结温TVJmax = 175℃
应用领域
- 不间断电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能组串式逆变器
- 储能逆变器