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IGW100N60H3-HXY
650V 150A
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- 描述
- 本IGBT模块具有100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有效减少导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的导电性能与热稳定性。该模块可广泛用于高效能电源转换系统、精密电机驱动及电力调控装置，为高要求电路设计提供可靠的技术支持。
- 商品型号
- IGW100N60H3-HXY
- 商品编号
- C49003438
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 输出电容(Coes) | 223pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.45V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@0.88mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 156nC | |
| 输入电容(Cies) | 3.452nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 27ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.65mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 123ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 26pF |
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