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IXYH55N120C4-HXY
1.2kV 120A
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- 描述
- 本IGBT模块具备60A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流的工作环境。导通时，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受60A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.35V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于高效电源转换、精密电机控制及电力调节设备中，满足对功率密度和能效要求较高的场景需求。
- 商品型号
- IXYH55N120C4-HXY
- 商品编号
- C49003437
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.913793克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 652W | |
| 输出电容(Coes) | 244pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 240A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 502nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 6.557nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 39ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 280ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 44ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 179pF |
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