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IXYH75N65C3D1-HXY
650V 100A
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- 描述
- 该IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率需求的电路设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通压降，提升能量转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.65V，进一步优化系统整体性能。该器件适合用于多种高效电力控制与转换场景，提供稳定可靠的运行表现。
- 商品型号
- IXYH75N65C3D1-HXY
- 商品编号
- C49003430
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 179pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 183nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.356nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 136ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 93pF |
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