温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NGTB40N120FL2WG-HXY
1.2kV 80A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）典型值为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合应用于高性能电源转换系统，如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块，满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- NGTB40N120FL2WG-HXY
- 商品编号
- C49003416
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.043333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 346nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.98nF | |
| 输出电容(Coes) | 157pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 93pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 262ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 94ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NGTB40N120FL2WG采用先进的沟槽和场截止技术，可降低导通损耗，改善开关性能并增强雪崩能量。
商品特性
- 正温度系数
- 快速开关
- 低VCE(sat)
- 可靠且坚固耐用
- 符合AEC-Q101标准
- 工作温度达175°C
- 提供无卤素和环保型器件
- 符合RoHS标准
应用领域
- PTC电机驱动
- 车载充电器