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AFGHL50T65SQD-HXY
650V 80A
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- 描述
- 该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。内部集成二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和反向恢复性能。模块采用通用封装设计，便于安装与维护，适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。
- 商品型号
- AFGHL50T65SQD-HXY
- 商品编号
- C49003419
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.886667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.916nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 139pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 650V，50A IGBT
- 由于VCE(SAT)具有正温度系数，易于并联
- 低电磁干扰
- 低栅极电荷
- 低饱和电压 VCE(SAT)
- 最高结温 TVJmax = 175℃
应用领域
- 不间断电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能组串逆变器
- 储能逆变器