IKY75N120CH3XKSA1-HXY

1.2kV 100A

描述

本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能的同时兼顾导通损耗控制。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复特性与热稳定性。该器件可广泛应用于电力变换、能源管理、智能电网及高性能电源系统中，满足对可靠性和效率有高要求的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IKY75N120CH3XKSA1-HXY

商品编号

C49003422

商品封装

TO-247P-4L​

包装方式

管装

商品毛重

7.946875克(g)