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SPT40N120F1AT8TL-HXY
1.2kV 80A
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- 描述
- 本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和高电流的工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的反向恢复特性。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统，能够稳定运行于复杂电气环境中，为多种高性能电源应用提供可靠支持。
- 商品型号
- SPT40N120F1AT8TL-HXY
- 商品编号
- C49003423
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.796667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.047nF | |
| 输出电容(Coes) | 161pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 48ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.65mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.6mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 375ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 1200V、40A IGBT
- 由于VCESAT具有正温度系数，易于并联
- 低电磁干扰
- 低栅极电荷
- 低饱和电压VCESAT
- 最高结温TVJmax = 175℃
应用领域
- 不间断电源系统
- 电动汽车
- 充电器
- 太阳能组串逆变器
- 储能逆变器