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SPT50N65F1A1T8TL-HXY
650V 80A
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- 描述
- 本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效电源转换、能量调节及高频逆变等场景，满足复杂电气环境下对高性能功率器件的需求。
- 商品型号
- SPT50N65F1A1T8TL-HXY
- 商品编号
- C49003424
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.876667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.916nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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