IKQ140N120CH7XKSA1-HXY

1.2kV 240A

描述

该IGBT模块具备140A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率密度场景的应用需求。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.55V，有效降低导通状态下的能量损耗，提升整体能效表现。内部集成二极管可支持140A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.01V，具有良好的热稳定性和快速恢复能力。模块设计兼顾可靠性和兼容性，适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IKQ140N120CH7XKSA1-HXY

商品编号

C49003418

商品封装

TO-247P​

包装方式

管装

商品毛重

7.548485克(g)