温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IHW30N135R5-HXY
1.35kV 60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高电压与电流环境，适用于对功率控制要求较高的场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V，能在导通状态下保持较低损耗。内置二极管的正向电流(IF)为30A，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠性封装，具备较好的热稳定性与绝缘性能，适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。
- 商品型号
- IHW30N135R5-HXY
- 商品编号
- C49003405
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.490323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.35kV | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 51pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 90A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.8nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 51ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 190ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 330ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 18pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- FGW75N65WE-HXY
- STGYA50H120DF2-HXY
- IKW50N60H3-HXY
- FGH40T65SQD-F155-HXY
- IKW40N120CH7XKSA1-HXY
- FGH60N60SFDTU-HXY
- FGH75T65SQD-F155-HXY
- MBQ40T120QESTH-HXY
- IKW60N60H3-HXY
- NGTB40N65FL2WG-HXY
- NGTB40N120FL2WG-HXY
- STGWA50M65DF2-HXY
- IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
- AFGHL50T65SQD-HXY
- AOK60B65H2AL
- FGH40T65SHD-F155-HXY
- IKY75N120CH3XKSA1-HXY
- SPT40N120F1AT8TL-HXY
- SPT50N65F1A1T8TL-HXY
- AOK40B65HQ2
- GWA40MS120DF4AG-HXY