FGH75T65SQD-F155-HXY

650V 90A

描述

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受最高75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和响应特性。该器件适合用于高频开关、高效能转换及电源管理相关的电路设计，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FGH75T65SQD-F155-HXY

商品编号

C49003412

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.81克(g)