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FGH40T65SQD-F155-HXY
650V 70A
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- 描述
- 该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中等功率场景下的高频开关应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时有助于降低导通损耗。内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备稳定的反向恢复特性。模块采用优化的封装结构，散热性能良好，适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。
- 商品型号
- FGH40T65SQD-F155-HXY
- 商品编号
- C49003409
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.52nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 136ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 430uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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