STGYA50H120DF2-HXY
1.2kV 100A
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- 描述
- 本产品为IGBT管/模块,具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),可适应较高功率的应用需求。导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V,有助于在高效能运作的同时控制导通损耗。内置二极管支持最大50A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为2.7V,表现出良好的导通特性。该器件适用于电源变换装置、电机控制电路以及多种高精度电子设备,为系统提供稳定且高效的功率处理能力。
- 商品型号
- STGYA50H120DF2-HXY
- 商品编号
- C49003407
- 商品封装
- TO-247P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.986667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 输出电容(Coes) | 195pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.42nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 55ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 216ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.65mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 380ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 42pF |
优惠活动
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