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STGYA50H120DF2-HXY实物图
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STGYA50H120DF2-HXY

1.2kV 100A

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描述
本产品为IGBT管/模块,具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),可适应较高功率的应用需求。导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V,有助于在高效能运作的同时控制导通损耗。内置二极管支持最大50A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为2.7V,表现出良好的导通特性。该器件适用于电源变换装置、电机控制电路以及多种高精度电子设备,为系统提供稳定且高效的功率处理能力。
商品型号
STGYA50H120DF2-HXY
商品编号
C49003407
商品封装
TO-247P​
包装方式
管装
商品毛重
8.986667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)100A
耗散功率(Pd)600W
输出电容(Coes)195pF
正向脉冲电流(Ifm)200A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.3V@50A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V@250uA
栅极电荷量(Qg)200nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)6.42nF
开启延迟时间(Td(on))55ns
关断延迟时间(Td(off))216ns
导通损耗(Eon)2.65mJ
关断损耗(Eoff)1.8mJ
反向恢复时间(Trr)380ns
工作温度-40℃~+175℃
反向传输电容(Cres)42pF

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