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DGTD65T50S1PT-HXY
650V 100A
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- 描述
- 该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的能效特性。模块采用通用封装形式，便于安装与散热管理，适合用于电源变换、电机驱动等高性能功率系统设计。
- 商品型号
- DGTD65T50S1PT-HXY
- 商品编号
- C49003401
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.103333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输出电容(Coes) | 206pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.363nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 122ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.38mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.14mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 98ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 92pF |
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