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NGTB30N135IHRWG-HXY
1.35kV 60A
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- 描述
- 该IGBT模块具有30A的集电极电流（Ic）和1350V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范，便于安装与散热管理，适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。
- 商品型号
- NGTB30N135IHRWG-HXY
- 商品编号
- C49003400
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.264516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.35kV | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.25V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 51pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 18pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 51ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 190ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 330ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 得益于 VCE_SAT 的正温度系数，易于并联
- 低电磁干扰
- 低栅极电荷
- 低饱和电压 VCE(SAT)
- 最高结温 T_VJmax = 175°C
应用领域
- 不间断电源
- 电动汽车
- 充电器
- 太阳能组串逆变器
- 储能逆变器
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