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IRGP4263D-EPBF-HXY
650V 50A
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- 描述
- 该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，可在高频开关与能量回馈应用中提供稳定性能。模块结构设计优化，兼顾散热效率与电气性能，广泛应用于电源变换、新能源控制及高效电机驱动等领域，满足高压高电流场景的技术需求。
- 商品型号
- IRGP4263D-EPBF-HXY
- 商品编号
- C49003331
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.873333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 输出电容(Coes) | 139pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.916nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF |
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