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APT50GT120B2RDQ2G-HXY
1.2kV 100A
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- 描述
- 本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可满足较高功率需求的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能有效控制能量损耗。内部集成的二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通性能。该器件适用于电力变换装置、高效电机驱动及高频电源系统等场合，为高可靠性开关应用提供技术支持。
- 商品型号
- APT50GT120B2RDQ2G-HXY
- 商品编号
- C49003383
- 商品封装
- TO-247P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.903448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 输出电容(Coes) | 195pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.42nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 55ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 216ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.65mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 380ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 42pF |
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