APT45GP120B2DQ2G-HXY

1.2kV 100A

描述

本IGBT管/模块具有50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于提升系统整体效率。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，具备良好的导通特性与稳定性。该器件适合用于电源变换设备、高效能电机控制电路以及高频电力电子系统，满足对开关性能与耐压能力有较高要求的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

APT45GP120B2DQ2G-HXY

商品编号

C49003384

商品封装

TO-247P​

包装方式

管装

商品毛重

8.963333克(g)