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IXYH40N65B3D1-HXY
650V 70A
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- 描述
- 该IGBT模块集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，具备较强的电流承载与耐压能力。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定可靠的续流性能。模块设计紧凑，适配通用封装标准，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、电机驱动及智能电网等高要求场景。
- 商品型号
- IXYH40N65B3D1-HXY
- 商品编号
- C49003389
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.903333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 110pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.52nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 136ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 430uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF |
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