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IRG8P50N120KD-EPBF-HXY
1.2kV 80A
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- 描述
- 该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可适应较高功率密度的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有效减少导通状态下的功率损耗。内部二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，进一步提升系统整体效率。该模块适合应用于高效能电力转换系统，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度电源控制等领域。
- 商品型号
- IRG8P50N120KD-EPBF-HXY
- 商品编号
- C49003396
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 输出电容(Coes) | 157pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 346nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.98nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 262ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 94ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 93pF |
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