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IRG7PH50K10D-EPBF-HXY
1.2kV 80A
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- 描述
- 本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关与耐高压特性的设备中，如电力转换装置、精密电机控制及高频率电源系统等场景。
- 商品型号
- IRG7PH50K10D-EPBF-HXY
- 商品编号
- C49003382
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.837931克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 输出电容(Coes) | 161pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 5.047nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 48ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.65mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.6mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 375ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF |
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