温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BIDW50N65T-HXY
650V 100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，在高频开关与能量回馈应用中表现良好。模块设计兼顾性能与可靠性，适合用于电源转换、新能源控制及高效电机驱动等场景，提供稳定的高压高电流处理能力。
- 商品型号
- BIDW50N65T-HXY
- 商品编号
- C49003330
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.926667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输出电容(Coes) | 206pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.363nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 122ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.38mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.14mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 98ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 92pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- IRGP4263D-EPBF-HXY
- IRG7PH50K10D-EPBF-HXY
- APT50GT120B2RDQ2G-HXY
- APT45GP120B2DQ2G-HXY
- RGS00TS65DHRC11-HXY
- RGS00TS65EHRC11-HXY
- RGT00TS65DGC13-HXY
- IXXH40N65B4H1-HXY
- IXYH40N65B3D1-HXY
- IXYH40N65C3H1-HXY
- IXYH50N65C3H1-HXY
- IXYH75N65C3H1-HXY
- ITF48IF1200HR-HXY
- IXGH40N120B2D1-HXY
- IXYR50N120C3D1-HXY
- IRG8P50N120KD-EPBF-HXY
- IRG8P60N120KD-EPBF-HXY
- RJH1CV7DPQ-HXY
- IXA45IF1200HB-HXY
- NGTB30N135IHRWG-HXY
- DGTD65T50S1PT-HXY