STGWA40M120DF3-HXY

1.2kV 80A

描述

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压和较高功率场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的能效特性。该器件适合用于需要稳定性和高效能的应用场合，如电力转换与控制、节能设备及精密仪器等领域，为复杂电路提供可靠支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STGWA40M120DF3-HXY

商品编号

C49003314

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.086667克(g)