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STGWA75M65DF2-HXY
650V 90A
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- 描述
- 该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复性能与稳定性。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、智能电网、精密电机控制等领域，满足多种高性能电力电子设备的技术需求。
- 商品型号
- STGWA75M65DF2-HXY
- 商品编号
- C49003316
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.813333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 90A | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 输出电容(Coes) | 215pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.81nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.04mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 920uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 95ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 23pF |
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