AOK75B65H1

650V 90A

描述

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。模块采用标准化封装设计，便于安装和散热，适用于电源变换、电机驱动及电力调节等多种应用场合，提供高效可靠的功率解决方案。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOK75B65H1

商品编号

C49003324

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.86克(g)