AOK50B65M2
650V 100A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该IGBT模块的集电极电流(Ic)为50A,集射极击穿电压(Vces)达650V,适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流(IF)同样支持50A,正向压降(Vf)为1.45V,表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范,便于安装和散热,适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景,提供稳定高效的功率处理能力。
- 商品型号
- AOK50B65M2
- 商品编号
- C49003325
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.943333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.363nF | |
| 输出电容(Coes) | 206pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 92pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 122ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.38mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.14mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 98ns |
商品概述
AOK50B65M2 采用先进的沟槽和场截止技术,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。
商品特性
- 正温度系数
- 快速开关
- 低 VCE(sat)
- 可靠耐用
- 提供无卤素和绿色器件
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 不间断电源
- 电机驱动
- Boost
- 便携式电站
- IRG7PH46UD-EP-HXY
- IXYH75N65C3H1-HXY
- IXYR50N120C3D1-HXY
- NGTB30N135IHRWG-HXY
- DGTD120T40S1PT-HXY
- IKW40N120H3-HXY
- IHW30N135R5-HXY
- FGH40T65SQD-F155-HXY
- IKW40N120CH7XKSA1-HXY
- FGH60N60SFDTU-HXY
- MBQ40T120QESTH-HXY
- NGTB40N120FL2WG-HXY
- IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
- AFGHL50T65SQD-HXY
- SPT40N120F1AT8TL-HXY
- IXXH60N65C4-HXY
- IXYH55N120C4-HXY
- NGTG35N65FL2WG-HXY
- IGW50N65H5AXKSA1-HXY
- RGS00TS65HRC11-HXY
- IXYX120N120C3-HXY
- IRG7PH46UD-EP-HXY
- IXYH75N65C3H1-HXY
- IXYR50N120C3D1-HXY
- NGTB30N135IHRWG-HXY
- DGTD120T40S1PT-HXY
- IKW40N120H3-HXY
- IHW30N135R5-HXY
- FGH40T65SQD-F155-HXY
- IKW40N120CH7XKSA1-HXY
- FGH60N60SFDTU-HXY
- MBQ40T120QESTH-HXY
- NGTB40N120FL2WG-HXY
- IKQ140N120CH7XKSA1-HXY
- AFGHL50T65SQD-HXY
- SPT40N120F1AT8TL-HXY
- IXXH60N65C4-HXY
- IXYH55N120C4-HXY
- NGTG35N65FL2WG-HXY
- IGW50N65H5AXKSA1-HXY
- RGS00TS65HRC11-HXY
- IXYX120N120C3-HXY


