AOK50B65M2

650V 100A

描述

该IGBT模块的集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）达650V，适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流（IF）同样支持50A，正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范，便于安装和散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景，提供稳定高效的功率处理能力。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOK50B65M2

商品编号

C49003325

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.943333克(g)