AOK40B65M3

650V 70A

描述

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低损耗并提升能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的热稳定性和导通一致性。该器件适合用于电源转换、精密控制等电路设计，支持高频开关操作，满足复杂场景对效率与稳定性的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOK40B65M3

商品编号

C49003322

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.846667克(g)