IXYP15N65C3D1M-HXY

650V 30A

描述

该IGBT模块具备15A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.79V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受15A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.68V，提升了反向恢复性能与整体可靠性。该器件采用标准封装设计，便于散热与安装，广泛应用于电源转换、电机控制及智能电网等领域，为高性能电力电子装置提供了良好的技术支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXYP15N65C3D1M-HXY

商品编号

C49003315

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.9克(g)