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STP6N120K3
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:6A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP6N120K3
- 商品编号
- C501045
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
商品概述
这些SuperMESH³功率MOSFET是在SuperMESH技术基础上进行改进，并结合全新优化垂直结构的成果。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极大的雪崩性能
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用