STP6N120K3
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:6A
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- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP6N120K3商品编号
C501045商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.8克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
连续漏极电流(Id) | 6A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2.5A | |
功率(Pd) | 150W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
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