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STW25N60M2-EP
1个N沟道 耐压:600V 电流:18A
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- 描述
- N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW25N60M2-EP
- 商品编号
- C501083
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.73克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 188mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2增强性能（EP）技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻、优化的开关特性以及极低的关断开关损耗，使其适用于要求极高的甚高频转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（C_OSS）特性
- 极低的关断开关损耗
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- 专为甚高频转换器（f > 150 kHz）设计