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VND5N07TR-E
1个N沟道 耐压:70V
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- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VND5N07TR-E
- 商品编号
- C501114
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
VND5N07-E是一款采用VIPower M0技术设计的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
~~- 线性电流限制-热关断-短路保护-集成钳位-输入引脚电流消耗低-通过输入引脚进行诊断反馈-ESD保护-直接连接功率MOSFET的栅极(模拟驱动)-与标准功率MOSFET兼容