VNP20N07-E

VNP20N07 是一种采用意法半导体 VIPower 技术制造的单片器件，旨在用于替代直流至50 kHz应用中的标准功率 MOSFETs。内置热关断、线性电流限制和过压箝位保护芯片在恶劣环境中免受损害。

• 线性电流限制

• 热关断

• 短路保护

• 集成箝位

• 从输入引脚汲取的电流低

• 通过输入引脚进行诊断反馈

• ESD保护

• 直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）

• 兼容标准功率MOSFET

• 标准TO-220封装

• 过电压箝位保护：内部设定为70V，结合功率MOSFET阶段的坚固雪崩特性，使该器件具有无与伦比的坚固性和能量处理能力。这一特性在驱动感性负载时尤为重要。

• 线性电流限制电路：无论输入引脚电压如何，都限制漏极电流Id到Ilim。当电流限制器激活时，器件工作在线性区域，因此功耗可能会超过散热器的能力。外壳和结温都会升高，如果此状态持续时间足够长，结温可能会达到过温阈值Tjsh。

• 过温与短路保护：这些保护基于芯片温度感应，并不依赖于输入电压。感应元件位于芯片的功率级区域，确保快速、准确地检测结温。过温切断发生在最低150°C。当芯片温度降至135°C以下时，器件会自动重启。

• 状态反馈：在发生过温故障的情况下，通过输入引脚提供状态反馈。内部保护电路将输入与栅极断开，并将其连接到地，等效电阻为100 Ω。可以通过监测输入引脚上的电压来检测故障，该电压将接近地电位。

• 该器件的其他功能包括根据人体模型的ESD保护以及可由TTL逻辑电路驱动（RDS(on)略有增加）。