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VNS1NV04DPTR-E
全保护型Power MOSFET
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- 描述
- OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNS1NV04DPTR-E
- 商品编号
- C503069
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 2 | |
| 最大连续电流 | 1.7A | |
| 工作电压 | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 250mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP) |
商品概述
VNS1NV04DP-E 是一款由两个单片 OMNIFET II 芯片组成的器件，采用标准 SO-8 封装。OMNIFET II 采用意法半导体（STMicroelectronics）的 VIPower™ M0-3 技术设计，旨在替代从直流到 50KHz 应用中的标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。 可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD 保护
- 可直接访问功率 MOSFET 的栅极（模拟驱动）
- 与标准功率 MOSFET 兼容
- 符合 2002/95/EC 欧洲指令