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STM32F207IGT6引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STM32F207IGT6

高性能ARM Cortex-M3 MCU,具有1 MB Flash、120 MHz CPU、ART加速器和以太网

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描述
特性:Arm 32位Cortex-M3 CPU(最高120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现闪存零等待状态执行性能,具备MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 高达1 Mbyte的闪存。 512字节的OTP内存。 高达128 + 4 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口,8080/6800模式
商品型号
STM32F207IGT6
商品编号
C503073
商品封装
LQFP-176(24x24)​
包装方式
托盘
商品毛重
4.316348克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核ARM Cortex-M3
CPU最大主频120MHz
CPU位数32 Bit
程序存储容量1MB
程序存储器类型FLASH
RAM容量132KB
属性参数值
EEPROM容量-
I/O数量140
ADC(位数)12bit
DAC(位数)12bit
振荡器类型内置
工作电压1.8V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

基于Arm®的32位微控制器,150 DMIPs,最高1 MB闪存/128+4 KB随机存取存储器,支持USB OTG高速/全速、以太网、17个定时器、3个模数转换器、15个通信接口和摄像头。

商品特性

  • 核心:Arm® 32位Cortex®-M3 CPU(最高120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存的零等待状态执行性能,内存保护单元,150 DMIPs/1.25 DMIPs/MHz(Dhrystone 2.1)
  • 存储器:最高1 MB闪存,512字节一次性可编程存储器,最高128+4 KB静态随机存取存储器;灵活静态存储器控制器支持紧凑型闪存、静态随机存取存储器、伪静态随机存取存储器、NOR和NAND存储器;LCD并行接口(8080/6800模式)
  • 时钟、复位和电源管理:应用电源1.8至3.6V;I/O端口;上电复位、掉电复位、可编程电压监测和欠压复位;4至26 MHz晶体振荡器;内部16 MHz工厂校准RC振荡器;用于实时时钟的32 kHz振荡器(带校准);内部32 kHz RC振荡器(带校准)
  • 低功耗模式:睡眠、停止和待机模式;VBAT电源用于实时时钟、20×32位备份寄存器和可选4 KB备份静态随机存取存储器
  • 模数转换器:3×12位、0.5 μs模数转换器,最多24个通道,三重交错模式下最高6 MSPS;2×12位数字模拟转换器
  • 通用DMA:16流控制器,带集中式FIFO和突发支持
  • 定时器:最多12个16位和2个32位定时器(最高120 MHz),每个最多4个输入捕获/输出比较/脉冲宽度调制或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入;调试模式:串行线调试(SWD)、JTAG和Cortex®-M3嵌入式跟踪宏单元™
  • I/O端口:最多140个带中断能力的I/O端口;最多136个高速I/O(最高60 MHz);最多138个5V耐受I/O
  • 通信接口:最多15个通信接口;最多3个I²C接口(SMBus/PMBus);最多4个USART和2个UART(7.5 Mbit/s,ISO 7816接口、LIN、IrDA、调制解调器控制);最多3个SPI(30 Mbit/s),其中2个带复用I²S,可通过音频锁相环或外部锁相环实现音频级精度;2×CAN接口(2.0B Active);SDIO接口
  • 高级连接:USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器(带片上PHY);USB 2.0高速/全速设备/主机/OTG控制器(带专用DMA、片上全速PHY和ULPI);10/100以太网MAC(带专用DMA,支持IEEE 1588v2硬件、MII/RMII)
  • 其他:8至14位并行摄像头接口(最高48 Mbyte/s);CRC计算单元;96位ID

数据手册PDF