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VNN7NV04PTR-E
耐压:40V
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- 描述
- OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNN7NV04PTR-E
- 商品编号
- C501115
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
VNN7NV04P-E、VNS7NV04P-E 是采用意法半导体 VIPower™ M0 - 3 技术设计的单片器件，旨在用于从直流到 50 kHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚提供诊断反馈
- ESD 保护
- 可直接接入功率 MOSFET 的栅极（模拟驱动）
- 符合 2002/95/EC 欧洲指令，与标准功率 MOSFET 兼容
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