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STW48N60M6
1个N沟道 耐压:600V 电流:39A
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- 描述
- N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW48N60M6
- 商品编号
- C501092
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V,19.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.578nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术对前代MDmesh器件进行了升级，该技术在实现单位面积导通电阻RDS(on)显著改善的同时，具备出色的开关性能，为终端应用提供了高效且便捷的使用体验。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比，单位面积导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具备齐纳保护
应用领域
- 开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器