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STW9N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
- 描述
- N沟道800 V、0.73 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW9N80K5
- 商品编号
- C501098
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.65pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些高压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计，基于一种创新的专有垂直结构。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用