温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW45N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、30 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW45N60DM6
- 商品编号
- C501089
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这些高压N沟道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh产品相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并显著改善了RDS(on)与面积的乘积，同时具备市场上针对最严苛的高效桥拓扑和ZVS移相转换器的最有效的开关性能之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，RDS(on)与面积的乘积更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用