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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V,10.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些器件为采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这款具有革新性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷，因此适用于要求严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用