温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW20NM50FD
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FDmesh™ 将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈推荐用于桥接拓扑，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW20NM50FD
- 商品编号
- C501079
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 出色的品质因数（FoM）
- 低反向传输电容（Crss）与输入电容（Ciss）之比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用