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STW21N90K5
1个N沟道 耐压:900V 电流:18.5A
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- 描述
- N沟道900 V、0.25 Ohm典型值、18.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW21N90K5
- 商品编号
- C501080
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@720V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.645nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些器件是采用SuperMESH™ 5技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的、具有雪崩耐受能力的高压功率MOSFET技术基于一种创新的专有垂直结构。其结果是显著降低了导通电阻，并实现了极低的栅极电荷，适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- TO - 220封装下全球最佳的导通电阻RDS(on)
- 全球最佳的品质因数（FOM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用