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STQ1NK80ZR-AP
1个N沟道 耐压:800V 电流:300mA
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STQ1NK80ZR-AP
- 商品编号
- C501058
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperMESH™ 系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛的应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的高压 MOSFET 全系列产品线，其中包括具有革新性的 MDmesh™ 产品。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 13 Ω
- 极高的 dv/dt 能力
- 增强的 ESD 能力
- 100% 雪崩测试
- 全新的高压标杆
- 最小化的栅极电荷
应用领域
- 交流适配器和电池充电器
- 开关模式电源（SMPS）