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STS1DNC45
2个N沟道 耐压:450V 电流:0.4A
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- 描述
- SuperMESH系列通过对基于条形的PowerMESH布局进行极致优化获得。除了显著降低导通电阻外，还特别确保了在最苛刻应用中具有良好的dv/dt能力。该系列完善了高压MOSFET的全系列产品，包括创新的MDmesh产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS1DNC45
- 商品编号
- C501060
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
SuperMESH™ 系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的高压 MOSFET 全产品线，其中包括具有革新性的 MDmesh™ 产品。
商品特性
- 典型导通电阻 RDS(on) = 4.1 Ω
- 标准外形，便于自动表面贴装组装
- 栅极电荷最小化
应用领域
- 开关模式低功率电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 低功率、低成本紧凑型荧光灯（CFL）
- 低功率电池充电器