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PT9926
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。 适用于锂离子电池组应用
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PT9926
- 商品编号
- C48782953
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
AO3407A/L采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。AO3407A和AO3407AL在电气性能上完全相同。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 高功率和大电流处理能力
应用领域
- 锂离子电池组应用